MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管，MOS管的source(源極)和drain(漏極)是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。而在某些情況下又分為增強(qiáng)型mos管和耗盡型mos管，那么增強(qiáng)型mos管和耗盡型mos管的區(qū)別有哪些?本文將為您解答。

        一、耗盡型mos管與增強(qiáng)型mos管簡(jiǎn)述

        場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管( JFET )和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管( MOS管)兩大類。

        按溝道材料型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

        場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 ，簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。

        絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷” 形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管：子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一-側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通， 形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

        場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：所謂的增強(qiáng)還是耗盡，主要是指MOS管內(nèi)的反型層。如果在不通電情況下，反型層不存在，電壓加到-定程度后，反型層才出現(xiàn)， (當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的)這個(gè)就是增強(qiáng)。相反， 如果反型層一開始就存在 ，隨著電壓強(qiáng)弱，反型層會(huì)出現(xiàn)增加或者衰減， (當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的)這個(gè)就是耗盡。

        二、耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別詳解

        耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端( Gate )不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道;兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS (柵極電壓)可以用正、零負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS>VGS (th) (柵極閾值電壓)才行。

        由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子)， 當(dāng)VGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)能在P型襯底中感應(yīng)出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道;當(dāng)VGS>0時(shí)， 將產(chǎn)生較大的ID (漏極電流);如果使VGS<0 ，則它將削弱正離子所形成的電場(chǎng)，使N溝道變窄，從而使ID減小。

        這些特性使得耗盡型MOS管在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)設(shè)備開機(jī)時(shí)可能會(huì)誤觸發(fā)MOS管，導(dǎo)致整機(jī)失效;不易被控制，使得其應(yīng)用極少。

        因此，日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等問題，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強(qiáng)型NMOS管最為常見的重要原因，尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。

        以上就是關(guān)于增強(qiáng)型mos管和耗盡型mos管的區(qū)別的全部?jī)?nèi)容分享，宇凡微提供8位單片機(jī)，專注于MCU應(yīng)用功能定制開發(fā)，為廣大電子廠家提供更多新穎的電子產(chǎn)品單片機(jī)方案。