隨著IT技術(shù)的快速發(fā)展，對非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度要求越來越快，功耗要求越來越小?，F(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲器，如EEPRM和FLSS，已經(jīng)難以滿足這些需求。與其他類型的半導體技術(shù)相比，鐵電存儲器具有更低的功耗、更快的讀寫能力和更強的REPRM存儲功能，與ROM技術(shù)相同，是一種非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，鐵電存儲器具有功耗低、讀寫速度快、輻照能力強等優(yōu)點，因此受到廣泛關(guān)注。

一、鐵電存儲器的定義

鐵電存儲器(FRAM，ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問結(jié)合起來。由于鐵電存儲器不像動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)一樣密集，它很可能不能取代這些技術(shù)。

二、鐵電存儲器的工作原理

FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。鐵電效應(yīng)是指在鐵晶體上施加一定電場時，晶體中心原子在電場的作用下移動，達到穩(wěn)定狀態(tài);當電場從晶體中移除時，中心原子將保持在原始位置。這是因為晶體的中間層是一個高能階，當沒有獲得外部能量時，中心原子不能超過高能階到達另一個穩(wěn)定位置。因此，F(xiàn)RAM不需要電壓來保持數(shù)據(jù)，也不需要像DRAM那樣定期刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關(guān)，所以FRAM存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。

FRAM的特點是速度快，可以像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在E2PROM等最大寫作次數(shù)的問題。然而，受鐵晶體特性的限制，F(xiàn)RAM的訪問次數(shù)仍然最多。

三、鐵電存儲器應(yīng)用

由于鐵電存儲器可以在非常低的電能需求下快速存儲，因此有望廣泛應(yīng)用于消費者的小型設(shè)備中，如個人數(shù)字助理(PDA)、手機、電源表、智能卡和安全系統(tǒng)。鐵電存儲器(FRAM)比閃存快。在某些應(yīng)用中，它也可能取代電能擦除只讀存儲器(EEPROM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)，成為未來無線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。

以上就是關(guān)于鐵電存儲器的原理與應(yīng)用的全部內(nèi)容分享，相信大家看完之后對鐵電存儲器有了更深的了解，宇凡微提供ic晶元生產(chǎn)及封裝定制，作為九齊一級代理商，擁有十多年的單片機芯片應(yīng)用方案設(shè)計經(jīng)驗，為廣大電子產(chǎn)品生產(chǎn)商提供 MCU應(yīng)用功能定制開發(fā)服務(wù)。